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Condensatore di film di polipropilene di qualità eccellente - Condensatore di snubber IGBT a film metallizzato - CRE

Condensatore di film di polipropilene di qualità eccellente - Condensatore di snubber IGBT a film metallizzato - Immagine presentata CRE
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Innuvazione, eccellenza è affidabilità sò i valori fundamentali di a nostra sucietà. Quessi principii oghje più chè mai custituiscenu a basa di u nostru successu cum'è impresa di medie dimensioni attiva à livellu internaziunale perCondensatore di film d'alta affidabilità , Condensatore muntatu nantu à PCB , Condensatore di filtrazione CC, Spergu sinceramente chì crescemu inseme cù i nostri clienti in tuttu u mondu.
Condensatore di film di polipropilene di qualità eccellente - Condensatore di snubber IGBT a film metallizzato - Dettagliu CRE:

Dati tecnichi

 

Gamma di temperatura di funziunamentu Temperatura massima di funziunamentu., Superiore, massima: +105 ℃ Temperatura di categuria superiore: +85 ℃ Temperatura di categuria inferiore: -40 ℃
gamma di capacità 0,1 μF ~ 5,6 μF
Tensione nominale 700V.CC ~ 3000V.CC
Cap.tol ±5% (J); ±10% (K)
Tensione di resistenza 1,5 Un CC/10 S
Fattore di dissipazione tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Resistenza d'isolamentu

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S)

C> 0,33 μF RS * C≥ 5000 S (à 20 ℃ 100 V. CC 60 S)
Resiste à a corrente di colpu

具体见规格表
Ritardu di fiamma

UL94V-0
Speranza di vita

100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Norma di riferimentu

IEC61071; GB/T17702;

 

Tensione Un 700V.DC, Ums 400Vac; Uu1050V
Dimensione (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR à 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms à 40 ℃ à 100 kHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326.4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1.5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2.5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33

 

Tensione Un 1000V.DC, Ums 500Vac; Um 1500V
Dimensione (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1.5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57,5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57,5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32

 

Tensione Un 1200V.DC, Ums 550Vac; Us 1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1.5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57,5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57,5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57,5 42,5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 32

 

Tensione Un 1700V.DC, Ums575Vac; Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57,5 42,5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 32

 

Tensione Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 32

 

Tensione Un 3000V.DC, Ums 750Vac; Um 4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28

Funziunalità

1. Plastica, sigillata cù resina;

2. Inserti di rame stagnatu, installazione faciule per IGBT;

3. Resistenza à alta tensione, tgδ bassu, aumentu di temperatura bassu;

4. ESL è ESR bassi;

5. Corrente d'impulsu elevata.

Utilizendu custruzzioni interne à bassa induttanza, custodie in resina stampata opzionali è terminazioni persunalizate, a serie SMJ-P hè cuncepita per IGBTS à commutazione rapida è pò serve cum'è snubber è filtri d'ingressu à alta frequenza è alta corrente.

Imagine di dettagli di u produttu:

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Guida di i prudutti cunnessi:
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