• bbb

Condensatore snubber GTO in l'equipaggiu elettronicu di putenza

Descrizione breve:

I circuiti Snubber sò essenziali per i diodi utilizati in i circuiti di commutazione.Si pò salvà un diode da spike overvoltage, chì pò esce durante u prucessu di ricuperazione inversa.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Dati tecnichi

Gamma di temperatura di u funziunamentu Max.Temperatura di funziunamentu.,Top,max: + 85 ℃ Temperatura di categuria superiore: + 85 ℃ Temperatura di categoria inferiore: -40 ℃
gamma di capacità

0,22~3μF

Tensione nominale

3000V.DC ~ 10000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

Resiste a tensione

1.35Un DC/10S

Fattore di dissipazione

tgδ≤0,001 f=1KHz

Resistenza d'insulazione

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (à 20℃ 100V.DC 60S)

Resiste à u currenti di colpu

vede a datasheet

L'expectativa di vita

100000h (Un; Θhotspot≤70°C)

Standard di riferimentu

IEC 61071;

Feature

1. Cinta Mylar, Sigillata cù resina;

2. Copper nut leads;

3. Resistance à high voltage, bassu tgδ, bassu temperature aumentu;

4. bassu ESL è ESR;

5. High Pulse Current.

Applicazione

1. GTO Snubber.

2. Widely usatu in l 'attrezzatura ilittronica putenza quandu u piccu voltage, a prutezzione di piccu assorption currenti.

Circuitu tipicu

1

Disegnu di contu

2

Specificazione

Un=3000V.DC

Capacità (μF)

φD (mm)

L (mm)

L1 (mm)

ESL (nH)

dv/dt (V/μS)

Ipk (A)

Irms (A)

0,22

35

44

52

25

1100

242

30

0,33

43

44

52

25

1000

330

35

0,47

51

44

52

22

850

399

45

0,68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

Capacità (μF)

φD (mm)

L (mm)

L1 (mm)

ESL (nH)

dv/dt (V/μS)

Ipk (A)

Irms (A)

0,22

43

60

72

25

1500

330

35

0,33

52

60

72

25

1200

396

45

0,47

62

60

72

25

1000

470

50

0,68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

Capacità (μF)

φD (mm)

L (mm)

L1 (mm)

ESL (nH)

dv/dt (V/μS)

Ipk (A)

Irms (A)

0,22

45

57

72

25

1100

242

30

0,68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

Capacità (μF)

φD (mm)

L (mm)

L1 (mm)

ESL (nH)

dv/dt (V/μS)

Ipk (A)

Irms (A)

0,33

35

90

102

30

1100

363

25

0,47

41

90

102

28

1000

470

30

0,68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

Capacità (μF)

φD (mm)

L (mm)

L1 (mm)

ESL (nH)

dv/dt (V/μS)

Ipk (A)

Irms (A)

0,33

45

114

123

35

1500

495

30

0,47

54

114

123

35

1300

611

35

0,68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


  • Previous:
  • Next:

  • Mandate u vostru messagiu à noi:

    Scrivite u vostru missaghju quì è mandate à noi

    Mandate u vostru messagiu à noi: