Ammortizzatore di condensatore a film ad alta corrente per saldatrice (SMJ-TC)

Descrizzione corta:

Modellu di condensatore: SMJ-TC

Caratteristiche:

1. Elettrodi di noci di rame

2. Piccula dimensione fisica è faciule installazione

3. Tecnulugia di avvolgimentu di nastri Mylar

4. Riempimentu di resina secca

5. Induttanza in serie equivalente bassa (ESL) è resistenza in serie equivalente (ESR)

Applicazioni:

1. Ammortizzatore GTO

2. Assorbimentu è prutezzione di a tensione di punta è di a corrente di punta per i cumpunenti di cummutazione in l'apparecchiature elettroniche

I circuiti snubber sò essenziali per i diodi utilizati in i circuiti di commutazione. Pò salvà un diodu da i picchi di sovratensione, chì ponu accade durante u prucessu di ricuperazione inversa.

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Dati tecnichi

Gamma di temperatura di funziunamentu	Temperatura massima di funziunamentu., Superiore, massima: + 85 ℃ Temperatura di categuria superiore: + 85 ℃ Temperatura di categuria inferiore: -40 ℃
gamma di capacità	0,22 ~ 3 μF
Tensione nominale	3000V.CC ~ 10000V.CC
Cap.tol	±5% (J); ±10% (K)
Tensione di resistenza	1,35 Un CC/10 S
Fattore di dissipazione	tgδ≤0.001 f=1KHz
Resistenza d'isolamentu	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S) C> 0,33 μF RS * C≥ 5000 S (à 20 ℃ 100 V CC 60 S)
Resiste à a corrente di colpu	vede a scheda tecnica
Speranza di vita	100000h (Un; Θhotspot≤70°C)
Norma di riferimentu	IEC 61071 ;

Funziunalità

1. Nastro Mylar, sigillatu cù resina;

2. Cunduttori di rame;

3. Resistenza à alta tensione, tgδ bassu, aumentu di temperatura bassu;

4. ESL è ESR bassi;

5. Corrente d'impulsu elevata.

Applicazione

1. Ammortizzatore GTO.

2. Ampiamente adupratu in l'apparecchiature elettroniche di putenza quandu a tensione di piccu, a prutezzione di l'assorbimentu di corrente di piccu.

Circuitu tipicu

Disegnu di contornu

Specificazione

Un=3000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70