• bbb

Snubber di alta qualità cù capacità di carica di impulsi elevati

Descrizione breve:

IGBT snubber SMJ-P

I condensatori di film snubber CRE sò cuncepiti per l'operazione di corrente di punta alta necessaria per a prutezzione di tensioni transitori.

1. altu dv / dt resistà capacità

2. Installazione faciule per IGBT


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Dati tecnichi

Gamma di temperatura di u funziunamentu Max.Temperatura di funziunamentu.,Top,max: +105℃

Temperatura di a categuria superiore: + 85 ℃

Temperature di categoria inferiore: -40 ℃

gamma di capacità 0,1 μF5,6 μF
Tensione nominale 700V.DC3000V.DC
Cap.tol ± 5% (J); ± 10% (K)
Resiste a tensione 1.5Un DC/10S
Fattore di dissipazione tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Resistenza d'insulazione

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S)

C0,33μF RS*C≥5000S (à 20℃ 100V.DC 60S)

Resiste à u currenti di colpu

vede a datasheet

Ritardamentu di fiamma

UL94V-0

L'expectativa di vita

100000h (Un; Θhotspot≤85°C)

Standard di riferimentu

IEC61071;GB/T17702;

Tavola di specificazione

Tensione Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimensione (mm)
Cn (μF) L (± 1) T (± 1) H (± 1) ESR @100KHz (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk (A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Tensione Un 1000V.DC, Urms500Vac;Us1500V
Dimensione (mm)
Cn (μF) L (± 1) T (± 1) H (± 1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk (A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Tensione Un 1200V.DC, Urms550Vac;Us1800V
Cn (μF) L (± 1) T (± 1) H (± 1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk (A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
Tensione Un 1700V.DC, Urms575Vac;Us2250V
Cn (μF) L (± 1) T (± 1) H (± 1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk (A) Irms
0,33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
Tensione Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn (μF) L (± 1) T (± 1) H (± 1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk (A) Irms
0,22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0,33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Tensione Un 3000V.DC, Urms750Vac;Us4500V
Cn (μF) L (± 1) T (± 1) H (± 1) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) Ipk (A) Irms
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0,33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

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