Condensatore snubber GTO in l'equipaggiu elettronicu di putenza

Descrizione breve:

I circuiti Snubber sò essenziali per i diodi utilizati in i circuiti di commutazione.Si pò salvà un diode da spike overvoltage, chì pò esce durante u prucessu di ricuperazione inversa.

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Dati tecnichi

Gamma di temperatura di u funziunamentu	Max.Temperatura di funziunamentu.,Top,max: + 85 ℃ Temperatura di categuria superiore: + 85 ℃ Temperatura di categoria inferiore: -40 ℃
gamma di capacità	0,22~3μF
Tensione nominale	3000V.DC ~ 10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Resiste a tensione	1.35Un DC/10S
Fattore di dissipazione	tgδ≤0,001 f=1KHz
Resistenza d'insulazione	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (à 20℃ 100V.DC 60S)
Resiste à u currenti di colpu	vede a datasheet
L'expectativa di vita	100000h (Un; Θhotspot≤70°C)
Standard di riferimentu	IEC 61071;

Feature

1. Cinta Mylar, Sigillata cù resina;

2. Copper nut leads;

3. Resistance à high voltage, bassu tgδ, bassu temperature aumentu;

4. bassu ESL è ESR;

5. High Pulse Current.

Applicazione

1. GTO Snubber.

2. Widely usatu in l 'attrezzatura ilittronica putenza quandu u piccu voltage, a prutezzione di piccu assorption currenti.

Circuitu tipicu

Disegnu di contu

Specificazione

Un=3000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Capacità (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70